一招白嫖30%+性能，100%榨乾內存條潛力，一滴不剩

DDR5 內存售價暴降 80%，終於到了無腦下手的時候！

雖說 DDR5 已註定會成爲接下來的主流，但還是從評論區看到很多小夥伴兒留言表示：

家貧無以上新，然含淚固守 DDR4 矣！

好傢伙，都說 PC 硬件換代革新是一場持久戰，這果然不假。

那麼本着順應民意，咱們今天就來給大夥兒分享下 DDR4 內存有哪些門道。

其實甭管 DDR4 還是 DDR5 咱們在選購時需要注意，決定它性能最重要的核心只有一個，那就是 DRAM 芯片，也就是我們常說的內存顆粒。

DRAM 芯片對於一整條內存權重就好比顯卡的 GPU 核心。

儘管品牌旗艦定位和丐版顯卡用料、散熱規模可以相差非常巨大，但只要採用了同一核心，那他們實際性能差異往往不會超過 5%。

不過哈，高性能內存條有無金屬馬甲以及良好的導熱條件對性能發揮同樣比較重要。

回到 DRAM 芯片上，它決定了內存高頻潛力以及另一項關鍵參數——內存時序。

內存頻率自然是越高越好，內存讀寫性能也會越強。

而時序可以簡單理解爲內存操作響應時鐘週期，它決定了內存的延遲，時序越低延遲越低。

特別是很多對內存延遲敏感的遊戲，相同頻率不同時序的兩條內存，其遊戲性能表現往往差距會相當明顯。

大夥兒呢只需重點關注 CL、TRCD、TRP 和 TRAS這四個時序參數即可，它們通常用符號「-」隔開。

例如咱們經常在內存宣傳界面看到的 17-18-18-36 即代表該內存的主時序。

既然內存顆粒是決定內存性能的關鍵，老規矩依然給大家帶來了以下熱門 DDR4 顆粒排行：

如果非要用一句話概括：DDR4 內存顆粒可分兩個陣容，一個叫三星 B-die，一個叫其他。

特挑三星 B-die 是毫無疑問斷檔式領先，強大的超頻潛力與極低時序表現讓它穩坐排行第一。

3600MHz 頻率下 C14-14-14-28 只是它的基本盤，手動超頻也能輕鬆做到 4000+ 頻率 C15-15-15-35。

次一級的便是普通三星 B-die 顆粒，不過遺憾的是這倆老哥已經於數年前停產。

目前市面搭載此顆粒的內存已經相當罕見同時價格高的離譜，不再具有性價比。

而普通用戶能正常買到表現還不錯的顆粒包括國產長鑫特挑 A-die、海力士 CJR/DJR 以及鎂光 C9 系列。

這些顆粒普遍具備 3600MHz 頻率 C18-19-19-38 的基本盤，超頻也是能輕鬆做到 4000MHz 以上。

第三梯隊三星 C-die、三星 D-die、南亞 A-die 等顆粒，主打一個開 XMP 穩定用，不再具備多少超頻潛力。

至於更多其他名不見經傳的顆粒，頻率、時序往往慘不忍睹，不提也罷！

因此總結來說，對於很多有一定動手能力的普通用戶來說，搭載第二梯隊的海力士 CJR/DJR、鎂光 C9 等顆粒的 DDR4 內存無疑是性價比不錯的選擇。

同時，搭載這些顆粒的內存廠家一般會標註出顆粒型號，例如阿斯加特、光威、金百達、玖合等部分 DDR4 會直接標明採用海力士 CJR 顆粒，很好辨認。

沒詳細標註的嘛，大概率採用混發顆粒，什麼妖魔鬼怪都有，純粹看臉抽獎了！

新內存到手，很多小白用戶在上機檢查沒問題後便直接默認開用，這其實存在一個很大的誤區。

因爲主機電腦爲了廣泛兼容性，通常會以 DDR4 初始頻率 2400 或 2666MHz 默認運行。

而目前 DDR4 普遍支持 XMP（出廠前預寫入一套超頻文件），如果上機不開啓 XMP 相當於白白損失性能。

開啓方法也很簡單，咱們只需在開機時按 Bios 啓動快捷鍵進入主板 Bios（御三家主板普遍爲 Del 鍵，其他主板也可根據型號上網查詢）。

然後在 Bios 主界面或高級選項中打開 XMP，最後按 F10 保存退出即可。

例如我手上的 16G*2 海力士 CJR 顆粒 DDR4 內存，默認頻率爲 2400MHz，時序 C17-17-17-39。

此時用 AIDA64 內存測試工具測得，內存讀/寫在 36000-37000MB/s 左右，延遲 80ns 左右。

開啓 XMP 後，頻率爲 3600MHz，時序 C16-20-20-38，內存電壓 1.4V。

此時讀/寫在 53000-55000MB/s 左右，延遲 60ns 左右。

可以看到，內存讀寫性能提升高達 40% 以上，同時延遲降低了 30% 以上。

如果樂意動手對內存超個頻還有更大提升。

以我手上這塊華碩 B660 重炮手主板爲例，進入 Bios 後關閉 XMP，按 F7 進入高級選擇，點開 Ai Tweaker 頁面；

我們首先將內存比率模式調整爲 1∶1 也就是 G1 不分頻模式；

然後調整內存頻率，這個根據大夥兒內存顆粒來選擇，如果是上圖第二梯隊顆粒基本上 4000MHz 沒啥毛病；

咱手中 CJR 顆粒經過嘗試調整爲 4200MHz；

下拉找到內存電壓選項，手動設置放寬至 1.45V；

內存電壓需根據內存顆粒、頻率、時序和體質來綜合選擇，常規內存不建議超過 1.45V，過高電壓會導致發熱增加甚至燒燬風險。

當然，三星 B-die 顆粒是出了名的相對比較耐高壓，可適當放寬至 1.5V。

接着返回上拉找到內存時序選項；

將第一時序放寬至 C19-22-22-42，並將 DRAM Command Rate 選項調整爲 2N，其他選項不用動；

時序的調整同樣需要根據不同顆粒、頻率和體質來決定，海力士 CJR 爲了穩定可以考慮設置爲內存電壓 1.45V、頻率 4000MHz，時序 C19-22-22-42。

以上選項修改完成後按 F10 保存重啓。

再次測試，此時內存讀/寫進一步提升至 62000MB/s 左右，延遲來到 54ns 左右。

當然了，如果願意花時間折騰，對內存頻率、時序進行優化，同時壓緊第一時序後的小參，內存性能和延遲表現提升還會更加明顯。

另外，記得超頻後結合內存烤雞工具 TM5 測試內存穩定性哦！

電腦硬件如 CPU、顯卡、內存條在合理範圍內超頻，可獲得一部分額外性能的同時不會對硬件造成損壞。

但需要注意，任何超頻行爲都會伴隨着一定風險，因此對於小白用戶強烈建議多學習掌握相關知識後再進行操作。