攻克異質異構三維集成瓶頸，Micro-LED光電整合標準工藝平臺建成

近日，蘇州漢驊半導體有限公司基於8寸硅基氮化鎵（GaN）LED外延技術與自主無損去硅工藝，在“超越摩爾 GaN Plus”平臺上，成功建成與8寸CMOS半導體工藝高度兼容的Micro-LED標準工藝量產平臺，全面貫通氮化鎵外延、無損去硅、薄膜集成至CMOS工藝、微顯示器件全流程鏈路，突破Micro-LED產業化核心技術瓶頸，爲AR/VR等近眼顯示規模化應用奠定關鍵基礎。

氮化鎵作爲第三代半導體核心材料，是Micro-LED微顯示技術的關鍵支撐。但氮化鎵發光單元與硅基CMOS驅動電路的高效集成難題，長期制約AR/VR等近眼顯示產品商業化進程，其本質是不同材料體系間的三維異構集成技術壁壘。

漢驊半導體此次建成的8寸標準工藝平臺，核心突破在於打通材料與工藝的“異構集成”通道。依託自主研發的晶圓級無損去硅技術，團隊實現8寸硅片上氮化鎵薄膜完整剝離與精準轉移，工藝窗口全面對標主流8寸CMOS產線標準，實現發光陣列與驅動芯片的晶圓級鍵合及協同製造。早在2025年，公司已實現3.75微米間距混合鍵合量產，鍵合成品率超95%，爲高密度微顯示陣列規模化製造提供核心工藝保障。

目前，該平臺已具備紅、藍、綠多波長髮光結構工藝能力，可支撐超高像素密度微顯示陣列製備，滿足近眼顯示、光互聯、數字車燈、AI電源管理等前沿應用核心器件需求。平臺面向產業開放代工與聯合開發服務，提供類半導體工藝設計套件（PDK）標準化接口，覆蓋設計、驗證至量產全環節協同創新。

作爲長三角國創中心首個“撥投結合”模式支持的重大項目，漢驊半導體自2017年深耕異質異構集成領域，擁有國內唯一“GaN Plus 3DIC”全流程工藝平臺。此次8寸硅基氮化鎵Micro-LED標準工藝平臺落地，不僅爲國內化合物半導體與集成電路異質集成提供可複製技術路徑，更契合後摩爾時代系統級集成發展方向，爲下一代人機交互終端關鍵部件國產化築牢工藝根基。

未來，該平臺將持續向更高像素密度、更小像素尺寸迭代，探索多波長外延與色轉換融合的全色方案，進一步推動Micro-LED在消費電子、車載顯示、特種應用等領域規模化落地。